DNLS350E-13 - Diodes Incorporated
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Kynix Teil #: KY13-DNLS350E-13
Hersteller Teil #: DNLS350E-13
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
Verpackung: TO-261-4, TO-261AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
DNLS350E-13 Datenblatt
DNLS350E-13 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time
19 Weeks
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins
4
Weight
7.994566mg
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
290mV
Number of Elements
1
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2008
JESD-609 Code
e3
Pbfree Code
yes
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
4
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Max Power Dissipation
1W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
40
Base Part Number
DNLS350
Pin Count
4
Element Configuration
Single
Case Connection
COLLECTOR
Transistor Application
SWITCHING
Gain Bandwidth Product
100MHz
Polarity/Channel Type
NPN
Transistor Type
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50V
Max Collector Current
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A 2V
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
290mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency
100MHz
Max Breakdown Voltage
50V
Collector Base Voltage (VCBO)
60V
Emitter Base Voltage (VEBO)
6V
Continuous Collector Current
3A
Height
1.6mm
Length
6.5mm
Width
3.5mm
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:DNLS350E-13 Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| DNLS350E-13 | TO-261-4, TO-261AA | Bipolar Transistors - BJT NPN 1W | |
| DZT851-13 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | |
| NZT560 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | |
| BCP54 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | |
| DJT4031N-13 | TO-261-4, TO-261AA | DIODES INC. DJT4031N-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
Verpackung: TO-261-4, TO-261AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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Paket
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